[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202080000992.1 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111656517A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 杜卫星;张玉龙;欧阳爵;张铭宏 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/06;H01L21/027;H01L21/304;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含衬底、安置于所述衬底上的III‑V族层、安置于所述III‑V族层上的电介质层，以及从所述电介质层延伸到所述衬底的倾斜侧壁。其中所述衬底包括与所述倾斜侧壁相对地朝向的相对粗糙表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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