[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202080000777.1 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111527610A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 黄敬源;郝荣晖 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的一些实施例提供一种半导体装置，其包括衬底、沟道层、势垒层、p型掺杂III‑V族层、源极、漏极及经掺杂半导体层。沟道层设置于衬底上。势垒层设置于沟道层上。p型掺杂III‑V族层设置于势垒层上。闸极设置于p型掺杂III‑V族层上。源极及漏极设置于闸极的相对两侧。经掺杂半导体层具有靠近闸极的第一侧及远离闸极的第二侧。漏极覆盖经掺杂半导体层的第一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司，未经英诺赛科（珠海）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080000777.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于区块链的数据同步的系统和方法
- 下一篇：一种紫苏醇香叶醇碳酸酯香料
- 同类专利
- 专利分类
