[实用新型]一种表面等离激元增强型LED有效
| 申请号： | 202023326858.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN213936218U | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强;柴华卿;姚书南;林志霆;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于LED的技术领域，公开了一种表面等离激元增强型LED。表面等离激元增强型LED，包括导电衬底，第一绝缘层、金属P电极、金属纳米层、金属键合层、柱状N电极、第二绝缘层、DBR反射层、p型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n型GaN层；结构中电极为嵌入式电极结构。本实用新型将嵌入式电极结构和金属纳米层结合提高了GaN基LED光源量子效率、光输出功率、增强光通信的调制带宽；且金属纳米层易于制作在外延生长之后，避免了以往中断外延层生长而沉积金属，最终对外延腔室造成污染的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 离激元 增强 led | ||
【主权项】：
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