[实用新型]一种表面等离激元增强型LED

权利要求书

1.一种表面等离激元增强型LED，其特征在于：包括导电衬底，第一绝缘层，金属P电极，金属纳米层，金属键合层，柱状N电极，第二绝缘层，DBR反射层，p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱层，n型GaN层；所述导电衬底上依次形成金属键合层，第二绝缘层，DBR反射层，p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱层，n型GaN层；所述金属P电极依次贯穿于导电衬底，金属键合层，第二绝缘层，DBR反射层，直至金属P电极的端部延伸至p型GaN层内部；延伸至p型GaN层内部的金属P电极的一端设有金属纳米层；所述第一绝缘层位于金属P电极的表面，金属P电极的两端无第一绝缘层，第一绝缘层也依次贯穿于导电衬底，金属键合层，第二绝缘层，DBR反射层，至p型GaN层内部；所述柱状N电极依次贯穿于第二绝缘层，DBR反射层，p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱层，直至n型GaN层的内部，柱状N电极未穿透n型GaN层；所述柱状N电极的表面设有绝缘层，该绝缘层与第二绝缘层形成整体，所述柱状N电极两端未设有绝缘层。

2.根据权利要求1所述表面等离激元增强型LED，其特征在于：所述柱状N电极的表面设有的绝缘层依次贯穿于DBR反射层，p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱层，直至n型GaN层的内部；

金属纳米层位于金属P电极和p型GaN接触界面。

3.根据权利要求1所述表面等离激元增强型LED，其特征在于：或者所述柱状N电极还贯穿于导电衬底和金属键合层，即柱状N电极依次贯穿于导电衬底、金属键合层、第二绝缘层、DBR反射层、p型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、直至n型GaN层的内部；此时贯穿于导电衬底和金属键合层的N电极的表面设有绝缘层，且N电极的下端无绝缘层，下端包括端面和贯穿于导电衬底的部分表面。

4.根据权利要求1所述表面等离激元增强型LED，其特征在于：金属P电极和p型GaN的界面处，金属纳米层与金属P电极所形成的端面为水平面或齿形。

5.根据权利要求1所述表面等离激元增强型LED，其特征在于：所述金属纳米层为Ag纳米柱、Ag纳米盘、Ag纳米颗粒中一种以上；

第一绝缘层的材质为SiO₂；第二绝缘层的材质为SiO₂。

6.根据权利要求1所述表面等离激元增强型LED，其特征在于：所述DBR反射层为SiO₂/TiO₂周期材料，为5-18个周期，每个周期厚度为50-200nm；

所述柱状N电极为Ti、Cr、Ag、Au、Pt中一种以上；

所述金属P电极为Cr、Pt、Au中的一种以上；

所述金属键合层为Ni、Au、Sn、Ti中的一种以上。

7.根据权利要求1所述表面等离激元增强型LED，其特征在于：所述金属纳米层的直径为50-3000nm、高度为50-500nm；

所述导电衬底为SiC衬底或者Si衬底，厚度为50-500μm；所述第一绝缘层和第二绝缘层为SiO2绝缘层，独自的厚度为100-2000nm；

所述柱状N电极的高度为2-10μm；

所述金属键合层的厚度为500nm-5μm；

所述N电极的个数≥2。