[实用新型]低功耗大功率并联整流二极管结构有效

专利信息
申请号: 202023258090.4 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN213660396U 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 张杰;王毅 申请(专利权)人: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L25/07
代理公司: 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 代理人: 葛军
地址: 225008 江苏省扬*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 低功耗大功率并联整流二极管结构。本实用新型涉及半导体器件,尤其涉及一种低功耗大功率并联整流二极管结构。提供了一种结构简单,方便加工,布局合理的低功耗大功率并联整流二极管结构。本实用新型在工作中,通过设置并列的框架组一和框架组二,其中,框架组一包括通过芯片一以及跳线链接的框架一和框架二,框架组二包括通过芯片二以及跳线连接的框架三和框架四,最后通过塑封体进行封装。框架组一、芯片一以及框架组二、芯片二形成对称的布局形式,结构合理,能更好地减小应力的产生,提高产品质量和使用寿命。而且可以组装多种规格、类型的芯片(180mil、190mil、200mil…),具较低的正向功耗,提升产品的自身的输出。
搜索关键词: 功耗 大功率 并联 整流二极管 结构
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