[实用新型]低功耗大功率并联整流二极管结构

权利要求书

1.低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于，包括并列设置的框架组一和框架组二，

所述框架组一包括并列设置的框架一和框架二，所述框架一上设有芯片一，所述芯片一通过跳线连接框架二，

所述框架组二包括并列设置的框架三和框架四，所述框架四上设有芯片二，所述芯片二通过跳线连接框架三，

所述框架组一、框架组二、芯片一、芯片二和跳线分别通过塑封体封装；

所述框架一、框架二、框架三和框架四依次设置、且分别伸出塑封体。

2.根据权利要求1所述的低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于，所述框架一、框架二、框架三和框架四上分别设有网格线导流槽。

3.根据权利要求1或2所述的低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于，所述芯片一具有一对，所述框架一上设有加强孔一，所述加强孔一位于一对芯片一之间；

所述芯片二具有一对，所述框架四上设有加强孔二，所述加强孔二位于一对芯片二之间。

4.根据权利要求1或2所述的低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于，还包括铝基散热板，所述铝基散热板设在框架一、框架二、框架三和框架四的背面。

5.根据权利要求1所述的低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于，所述塑封体的中间设有安装孔，所述安装孔位于框架二和框架三之间。

6.根据权利要求5所述的低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于，所述安装孔内设有散热片。

7.根据权利要求1所述的低功耗大功率并联整流二极管结构，其特征在于，还包括防水槽，所述防水槽设在框架一、框架二、框架三和框架四伸出塑封体的引脚上。