[实用新型]一种背发射极钝化接触电池、组件和系统

摘要

本实用新型涉及一种背发射极钝化接触电池、组件和系统。其中电池的结构为：硅基体的正面从内到外依次设置有局域重掺杂层、钝化层、正面金属栅线，其中正面金属栅线印刷于局域重掺杂层上，局域重掺杂层位于电池正面的金属接触区域其与硅基底的掺杂类型一致，电池正面的非金属接触区域不作或仅作部分掺杂；硅基体的背面从内到外依次设置有掺杂多晶硅层、钝化层、背面金属栅线，掺杂多晶硅层与硅基体的掺杂类型相反。本实用新型可实现在相同钝化条件下，电池正面的复合速率会大幅降低，钝化效果更优，同时还能解决正面由于方阻过高造成的多数载流子传输困难而带来的填充因子的急剧降低问题。