[实用新型]一种背发射极钝化接触电池、组件和系统

权利要求书

1.一种背发射极钝化接触电池，其特征在于：

所述电池中硅基体的正面从内到外依次设置有局域重掺杂层、钝化层、正面金属栅线，所述局域重掺杂层位于电池正面的金属接触区域，并与硅基底的掺杂类型一致，所述电池正面的非金属接触区域不作或仅作部分掺杂，所述正面金属栅线印刷于所述局域重掺杂层上；

所述硅基体的背面从内到外依次设置有掺杂多晶硅层、钝化层、背面金属栅线，所述掺杂多晶硅层与硅基体的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的背发射极钝化接触电池，其特征在于：所述硅基体的背面与掺杂多晶硅层之间还设有隧穿氧化层。

3.根据权利要求2所述的背发射极钝化接触电池，其特征在于：所述隧穿氧化层的厚度为1～10nm；且/或所述掺杂多晶硅层的厚度为30～300nm。

4.根据权利要求1所述的背发射极钝化接触电池，其特征在于：硅基体正面和/或背面的钝化层兼具减反效果。

5.根据权利要求4所述的背发射极钝化接触电池，其特征在于：所述钝化层为沉积在硅基体表面的钝化减反膜。

6.根据权利要求5所述的背发射极钝化接触电池，其特征在于：所述钝化减反膜包括从内到外依次设置的氧化铝钝化膜、氮化硅薄膜。

7.根据权利要求1～6任一项所述的背发射极钝化接触电池，其特征在于：

所述硅基体为N型硅基底，所述局域重掺杂层为硅基底正面上的N++重掺杂区域，所述掺杂多晶硅层为硼掺杂非晶硅层；或

所述硅基体为P型硅基底，所述局域重掺杂层为硅基底正面上的P++重掺杂区域，所述掺杂多晶硅层为磷掺杂非晶硅层。

8.一种背发射极钝化接触电池组件，包括由上至下依次设置的前层材料、封装材料、背发射极钝化接触电池、封装材料、背层材料；其特征在于：所述背发射极钝化接触电池是权利要求1～7任一项所述的背发射极钝化接触电池。

9.一种背发射极钝化接触电池系统，包括至少一个串联的背发射极钝化接触电池组件；其特征在于：所述背发射极钝化接触电池组件是权利要求8所述的背发射极钝化接触电池组件。