[实用新型]一种超级结碳化硅二极管元胞结构有效
| 申请号： | 202023208124.9 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN213816164U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中山市科企联知识产权代理事务所(普通合伙) 44337 | 代理人： | 杨立铭 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的一种超级结碳化硅二极管元胞结构，包括：碳化硅N型半导体衬底，所述碳化硅N型半导体衬底上设置N型外延层，在所述N型外延层的顶部设置一对平行的沟槽，所述沟槽呈倒置等腰梯形状，所述沟槽内填充绝缘介质，所述N型外延层对应所述沟槽的外壁处设置P型掺杂区，所述P型掺杂区、所述绝缘介质及所述N型外延层的顶部设置阳极层，所述碳化硅N型半导体衬底的底部设置阴极层。通过上述设计，采用超级结技术路线，利用深槽刻蚀、倾斜高能离子注入、电介质回填沟槽方式便于加工，器件结构中P型和N型电荷的电荷平衡易控制，工艺的简单实现成本随之降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 碳化硅 二极管 结构 | ||
【主权项】：
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