[实用新型]一种超级结碳化硅二极管元胞结构

权利要求书

1.一种超级结碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，包括：碳化硅N型半导体衬底，所述碳化硅N型半导体衬底上设置N型外延层，在所述N型外延层的顶部设置一对平行的沟槽，所述沟槽呈倒置等腰梯形状，所述沟槽内填充绝缘介质，所述N型外延层对应所述沟槽的外壁处设置P型掺杂区，所述P型掺杂区、所述绝缘介质及所述N型外延层的顶部设置阳极层，所述碳化硅N型半导体衬底的底部设置阴极层。

2.根据权利要求1所述的超级结碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，所述阳极层为铝层，其厚度为4微米，所述阴极层为钛-镍-银层，其厚度为0.1-0.2-1微米。

3.根据权利要求1所述的超级结碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，所述P型掺杂区的注入角度为7°。

4.根据权利要求1所述的超级结碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，所述绝缘介质为多晶硅。

5.根据权利要求1所述的超级结碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，所述沟槽的深度为1.2-1.5微米。

6.根据权利要求1所述的超级结碳化硅二极管元胞结构，其特征在于，所述P型掺杂区的厚度为0.5微米。