[实用新型]ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构有效
| 申请号： | 202023082740.4 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN214336733U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 闫晓密 | 申请（专利权）人： | 普瑞（无锡）研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏漫修律师事务所 32291 | 代理人： | 熊启奎;周晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，包括：在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，在LED芯片外延结构上制作透明导电层，透明导电层包括利用电子束蒸发技术镀的ITO膜，以及利用电子束蒸发技术镀的铝原子层和利用ALD技术沉积的氧化铝膜形成的以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜。本实用新型在ITO薄膜的基础上，先沉积一层铝原子层，再用ALD技术沉积氧化铝，形成以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜，氧化铝层可以减少对光的吸收，而且可以改善ITO薄膜的电流扩散，增加芯片的出光角度，提高芯片的光电性能，达到提升亮度、降低电压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | ald 沉积 电流 扩展 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普瑞（无锡）研发有限公司，未经普瑞（无锡）研发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202023082740.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：倒装双层DBR的LED芯片结构
- 下一篇：一种防滑的城乡园林景观步道
