[实用新型]ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构

权利要求书

1.一种ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：在芯片衬底(1)上生长LED芯片外延结构，在LED芯片外延结构上设有透明导电层，透明导电层包括ITO膜(7)，以及铝原子层(8)和氧化铝膜(9)形成的以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜。

2.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜的厚度为

3.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：LED芯片外延结构是依次生长的缓冲层(2)、U-GaN层(3)、N-GaN层(4)、多量子阱层(5)和P-GaN层(6)，或者是依次生长的N-GaN层(4)、多量子阱层(5)和P-GaN层(6)。

4.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层(4)刻蚀出来，形成N-GaN台阶。

5.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：通过电子束蒸发技术制作N、P焊盘电极(10)。

6.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：芯片衬底(1)为蓝宝石、硅片、碳化硅片或金属。

7.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：利用电子束蒸发技术镀ITO膜(7)。

8.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：利用电子束蒸发技术镀铝原子层(8)和利用ALD技术沉积氧化铝膜(9)形成以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜。