[实用新型]一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉有效
| 申请号： | 202023075888.5 | 申请日： | 2020-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN214655362U | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 唐蓉;王敏;孙珏 | 申请（专利权）人： | 无锡恒大电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/14;H01L21/205 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市建*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及气相外延技术领域，且公开了一种气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，包括炉体，所述炉体的底部固定连接有下固定圈，所述下固定圈的一侧固定连接有下盖板，所述下盖板的底部固定连接有密封盖，所述密封盖的一侧固定连接有位于炉体顶部的上固定圈；该气体供给稳定的半导体生产用气相外延炉，通过在炉体的内侧固定连接有放置圈，固定圈的底部卡接在放置圈顶部固定连接的卡条的侧部，使液体槽通过支撑杆与炉体的内部和底部分离，通过将产品从进料管倒入液体槽的内部，再通过将气体从进气管输送至炉体的内部，产品通过液体槽的侧部开设的出料口向外流出，通过气体向下沉淀，从而使气体与之间充分反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 供给 稳定 半导体 生产 用气相 外延 | ||
【主权项】：
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