[实用新型]一种等离子体处理装置有效
| 申请号： | 202023035618.1 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN213459633U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 杨金全;苏兴才;叶如彬 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张妍 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种等离子体处理装置，包含：真空反应腔，真空反应腔内具有下电极组件；等离子体约束装置，其环绕设置于下电极组件的外侧；排气口，其设置于真空反应腔的底部且位于等离子体约束装置下侧，用于将真空反应腔内部的气体排出；等离子体约束装置包括第一区域和第二区域，第一区域到排气口的距离小于所述第二区域到排气口的距离；气流挡板，其设置于等离子体约束装置的下方，气流挡板上开设有气流口，气流口位于第二区域的下方。其优点是：该装置通过将等离子体约束装置、气流挡板等结构相结合，通过气流挡板增加气体行走路径，减缓了等离子体约束装置和排气口之间气体的流速，有助于实现晶圆刻蚀速率的均匀性，保证晶圆刻蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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