[实用新型]一种等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：

真空反应腔，所述真空反应腔内具有下电极组件；

等离子体约束装置，其环绕设置于所述下电极组件的外侧；

排气口，其设置于真空反应腔的底部且位于所述等离子体约束装置下侧，用于将真空反应腔内部的气体排出；

所述等离子体约束装置包括第一区域和第二区域，所述第一区域到排气口的距离小于所述第二区域到排气口的距离；

气流挡板，其设置于所述等离子体约束装置的下方，所述气流挡板上开设有气流口，所述气流口位于第二区域的下方。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第二区域的范围小于或等于所述第一区域的范围。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流口的位置与所述排气口的位置关于所述等离子体约束装置的轴线对称。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流挡板包括多个台阶板，所述气流口位于所述台阶板上。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流挡板包括第一台阶板和第二台阶板，所述第一台阶板与第二台阶板为环形，两者之间成一夹角连接，且第二台阶板相对于第一台阶板更接近真空反应腔的侧壁，所述第一台阶板和/或第二台阶板上开设有所述气流口。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流挡板还包括与第一台阶板的底端连接的若干个第一气流隔绝片，所述第一气流隔绝片位于第一区域的下方。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一台阶板和/或所述第二台阶板和/或所述第一气流隔绝片一体成型。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流挡板还包括与第二台阶板的顶端连接的若干个第二气流隔绝片，所述第二气流隔绝片位于第一区域的下方。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一台阶板和/或所述第二台阶板和/或所述第二气流隔绝片一体成型。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流挡板为漏斗形，其漏斗的侧壁上开设有气流口。

11.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流口的开口面积为所在第一台阶板和/或第二台阶板面积的六分之一至三分之一。

12.如权利要求4或11所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流口的开口面积为所在第一台阶板和/或第二台阶板面积的四分之一。

13.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流口的开口面积小于等于所述排气口的面积。

14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气流挡板的材料包括铝合金或工程塑料或不锈钢；

和/或，所述气流挡板表面设有耐腐蚀性材料镀层。

15.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述耐腐蚀性材料镀层为特氟龙镀层或氧化钇膜层或阳极氧化层。