[实用新型]一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极有效
| 申请号： | 202023006193.1 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN215869395U | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王洪;李先辉 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，包括GaN基HEMT外延层，GaN基HEMT外延层内设置有GaN沟道层，电极包括在GaN基HEMT外延层的上表面从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al和第三金属层TiW，或从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层Ti和第四金属层TiW。还相应公开了该电极的制备方法。本实用新型有效降低GaN基HEMT欧姆接触的退火温度，改善AlGaN势垒层整体刻蚀造成的2DEG泄露和形成欧姆接触时的电流减少，降低了欧姆接触的形成难度，低温退火合金后的欧姆接触表面形貌及边缘更加平整。同时有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 低温 欧姆 接触 电极 | ||
【主权项】：
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