[实用新型]一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极有效

申请号：	202023006193.1	申请日：	2020-12-11
公开（公告）号：	CN215869395U	公开（公告）日：	2022-02-18
发明（设计）人：	王洪;李先辉	申请（专利权）人：	中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
主分类号：	H01L29/45	分类号：	H01L29/45;H01L21/28;H01L29/778;H01L21/335
代理公司：	广州粤高专利商标代理有限公司 44102	代理人：	江裕强
地址：	528400 广东省中山***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种 gan hemt 低温欧姆接触电极
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【权利要求书】：

1.一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，包括GaN基HEMT外延层，所述GaN基HEMT外延层内设置有GaN沟道层，所述电极包括在GaN基HEMT外延层的上表面从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al和第三金属层TiW，或从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层Ti和第四金属层TiW；在GaN基HEMT外延层的上表面从下到上依次排列设置的是第一金属层Ti、第二金属层Al和第三金属层TiW。

2.根据权利要求1所述的一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，

第一金属层Ti厚度为5～20nm。

3.根据权利要求1所述的一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，

第二金属层Al厚度为100～300nm。

4.根据权利要求1所述的一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，

第三金属层TiW厚度为20～50nm。

5.根据权利要求1所述的一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，在GaN基HEMT外延层的上表面从下到上依次排列设置的是第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层Ti和第四金属层TiW。

6.根据权利要求5所述的一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，第一金属层Ti厚度为5～20nm。

7.根据权利要求5所述的一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，第二金属层Al厚度为100～300nm。

8.根据权利要求5所述的一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，第三金属层Ti厚度为5～10nm。

9.根据权利要求5所述的一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，其特征在于，第四金属层TiW厚度为20～50nm。

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