[实用新型]实现预充电的IGBT电路有效

专利信息
申请号: 202022970809.0 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN213937862U 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 邓曦;梅吉超;银燕杰 申请(专利权)人: 四川爱创科技有限公司;四川长虹精密电子科技有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082;H03K17/567
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 吴中伟
地址: 621000 四川省绵阳市安州*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及IGBT电路领域,具体涉及一种实现预充电的IGBT电路,实现在预充电时抑制了快速重复上电下电情况下出现的高压冲击,极大地提高了电路的稳定性与可靠性。技术方案包括控制电路单元以及预充电电路单元,所述预充电电路单元包括IGBT以及充电电容,所述充电电容的一端与外部电源正极连接,另一端与外部电源负极连接,所述IGBT的栅极与控制电路连接,IGBT的集电极与充电电容的另一端连接,IGBT的发射极与外部电源负极连接,所述控制电路根据充电电容两端的电压及两端电压维持的时间控制IGBT的导通与关断。本实用新型适用于大功率预充电装置。
搜索关键词: 实现 充电 igbt 电路
【主权项】:
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