[实用新型]实现预充电的IGBT电路有效

专利信息
申请号: 202022970809.0 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN213937862U 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 邓曦;梅吉超;银燕杰 申请(专利权)人: 四川爱创科技有限公司;四川长虹精密电子科技有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082;H03K17/567
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 吴中伟
地址: 621000 四川省绵阳市安州*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 实现 充电 igbt 电路
【权利要求书】:

1.实现预充电的IGBT电路,其特征在于,包括控制电路单元以及预充电电路单元,所述预充电电路单元包括IGBT以及充电电容,所述充电电容的一端与外部电源正极连接,另一端与外部电源负极连接,所述IGBT的栅极(1)与控制电路连接,IGBT的集电极(2)与充电电容的另一端连接,IGBT的发射极(3)与外部电源负极连接,所述控制电路根据充电电容两端的电压及两端电压维持的时间控制IGBT的导通与关断。

2.根据权利要求1所述的实现预充电的IGBT电路,其特征在于,所述控制电路单元包括三极管(V1)、第一电阻(R1)、电源以及控制模块,所述三极管(V1)的发射极与电源(V)连接,三极管(V1)的基极通过第一电阻(R1)与控制模块连接,控制模块并联在充电电容两端,三极管(V1)的集电极与IGBT的栅极(1)连接,三极管(V1)发射极与基极之间还连接有另一只第一电阻(R1)。

3.根据权利要求2所述的实现预充电的IGBT电路,其特征在于,还包括第二电阻(R2),所述三极管(V1)的集电极通过第二电阻(R2)与IGBT的栅极(1)连接。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的实现预充电的IGBT电路,其特征在于,所述预充电电路单元还包括稳压二极管(ZD1),所述稳压二极管(ZD1)的阳极与外部电源负极连接,稳压二极管(ZD1)的阴极与IGBT的栅极(1)连接。

5.根据权利要求4所述的实现预充电的IGBT电路,其特征在于,所述预充电电路单元还包括第三电阻(R3),所述第三电阻(R3)的一端与IGBT的栅极(1)连接,另一端与外部电源负极连接。

6.根据权利要求5所述的实现预充电的IGBT电路,其特征在于,所述预充电电路单元还包括第四电阻(R4),所述第四电阻(R4)的一端与IGBT的集电极(2)连接,另一端与外部电源负极连接。

7.根据权利要求5所述的实现预充电的IGBT电路,其特征在于,所述预充电电路单元还包括第一电容(C1),所述第一电容(C1)的一端与IGBT的栅极(1)连接,另一端与外部电源负极连接。

8.根据权利要求7所述的实现预充电的IGBT电路,其特征在于,所述充电电容为多个电解电容,所述多个电解电容的负极均与外部电源负极连接,多个电解电容的正极均与外部电源正极连接。

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