[实用新型]一种IGBT中频电源用直流PN导电铜排结构有效
申请号: | 202022941815.3 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN213586785U | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 万政权 | 申请(专利权)人: | 江苏纳士达感应加热科技有限公司 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20;H02M1/00;H01R31/06 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 刘计成 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种IGBT中频电源用直流PN导电铜排结构,包括直流滤波电容、直流PN铜排组和IGBT单元组,IGBT单元组分左右两半,左侧半边与左侧下方的直流滤波电容通过直流PN铜排组连接,右侧半边与右侧上方的直流滤波电容通过直流PN铜排组连接,直流PN铜排组包括P向铜排和N向铜排,P向铜排和N向铜排的一端构成和IGBT单元组连接的IGBT连接部,P向铜排和N向铜排的另一端构成和直流滤波电容连接的电容连接部,P向铜排和N向铜排上的电容连接部镜像对应设置。本实用新型通过增设冷却铜管,提高了铜排散热性能;通过在电容连接部上于每个接线柱之间设置切口,确保电容连接部在受热膨胀过程中有足够的伸缩间隙,延长其使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 中频 电源 直流 pn 导电 结构 | ||
【主权项】:
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