[实用新型]一种IGBT中频电源用直流PN导电铜排结构有效
| 申请号： | 202022941815.3 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN213586785U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 万政权 | 申请（专利权）人： | 江苏纳士达感应加热科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K7/20 | 分类号： | H05K7/20;H02M1/00;H01R31/06 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 中频 电源 直流 pn 导电 结构 | ||
1.一种IGBT中频电源用直流PN导电铜排结构，所述IGBT中频电源包括两个直流滤波电容、两个直流PN铜排组和一个IGBT单元组，所述IGBT单元组分左右两半，左侧半边与左侧下方的直流滤波电容通过直流PN铜排组连接，右侧半边与右侧上方的直流滤波电容通过直流PN铜排组连接，其特征在于：所述直流PN铜排组包括P向铜排和N向铜排，所述P向铜排和所述N向铜排的一端间隔、绝缘设置，构成和所述IGBT单元组连接的IGBT连接部，所述P向铜排和所述N向铜排的另一端底侧朝外弯折90°，构成和所述直流滤波电容连接的电容连接部，所述P向铜排和所述N向铜排上的电容连接部镜像对应设置。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT中频电源用直流PN导电铜排结构，其特征在于：所述P向铜排和所述N向铜排上均配置有冷却铜管，使用时所述冷却铜管内通低电导率的工业用蒸馏水。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT中频电源用直流PN导电铜排结构，其特征在于：所述P向铜排和所述N向铜排与所述IGBT单元组连接的一端相互交错间隔设置，构成供绝缘板插入的缺口，所述绝缘板采用双层特氟龙制成。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT中频电源用直流PN导电铜排结构，其特征在于：所述N向铜排上的电容连接部通过螺栓固定在所述直流滤波电容的左排输出连接柱上，所述P向铜排上的电容连接部通过螺栓固定在所述直流滤波电容的右排输出连接柱上，所述电容连接部上于每个接线柱之间设有切口。
5.根据权利要求1所述的一种IGBT中频电源用直流PN导电铜排结构，其特征在于：所述直流滤波电容为自冷式电容。
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