[实用新型]硅基集成量子芯片有效
| 申请号： | 202022882904.5 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN213814025U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李杨;陶略;甘甫烷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种硅基集成量子芯片，将超导纳米线集成在硅波导的上方，使得超导纳米线与硅波导通过氧化硅覆盖层形成倏逝波耦合，可实现波导耦合的片上单光子探测；通过位于超导纳米线与硅波导之间的氧化硅覆盖层，可实现较高的倏逝波吸收率，且氧化硅覆盖层在生长超导纳米线时可充当掩膜，避免损伤硅波导，以降低硅波导的损耗；具有较小的表面粗糙度的氧化硅覆盖层可确保超导纳米线的平整性，以减小暗计数，提高量子性能；多通道的硅基集成量子芯片可提集成度。本实用新型的硅基集成量子芯片可实现集成化、规模化，并可靠保持高保真度的单光子信号的处理能力。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 量子 芯片 | ||
【主权项】：
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