[实用新型]硅基集成量子芯片有效
| 申请号： | 202022882904.5 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN213814025U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李杨;陶略;甘甫烷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 量子 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基集成量子芯片，其特征在于，所述硅基集成量子芯片包括：
底硅层；
氧化硅绝缘层，所述氧化硅绝缘层位于所述底硅层上；
硅波导，所述硅波导位于所述氧化硅绝缘层上；
氧化硅覆盖层，所述氧化硅覆盖层包覆所述硅波导；
超导纳米线，所述超导纳米线位于所述氧化硅覆盖层上，且所述超导纳米线与所述硅波导通过所述氧化硅覆盖层形成倏逝波耦合。
2.根据权利要求1所述的硅基集成量子芯片，其特征在于：所述硅波导上的所述氧化硅覆盖层的厚度为20nm～50nm。
3.根据权利要求1所述的硅基集成量子芯片，其特征在于：所述氧化硅覆盖层的表面粗糙度小于1nm。
4.根据权利要求1所述的硅基集成量子芯片，其特征在于：所述超导纳米线为NbN超导纳米线、Nb超导纳米线、TaN超导纳米线、MoSi超导纳米线、MoGe超导纳米线、NbTiN超导纳米线或WSi超导纳米线。
5.根据权利要求1所述的硅基集成量子芯片，其特征在于：所述超导纳米线的厚度为5nm～10nm。
6.根据权利要求1所述的硅基集成量子芯片，其特征在于：所述超导纳米线的形貌包括曲折蜿蜒状。
7.根据权利要求1所述的硅基集成量子芯片，其特征在于：所述硅基集成量子芯片包括N根所述硅波导，N≥2且为整数。
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