[实用新型]一种防静电的半导体结构有效
| 申请号： | 202022858184.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN213424988U | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈金松 | 申请（专利权）人： | 深圳市拓锋半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/02;H01L23/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种防静电的半导体结构，包括外壳，所述外壳内壁设置有内盒，所述内盒内壁设置有半导体，所述外壳底部设置有多个针脚，所述针脚和半导体固定连接，所述内盒设置为圆柱状，所述半导体两端和底部设置有多个静电球，所述静电球和内盒固定连接，所述静电球。本实用新型通过设置外壳内的内盒对半导体进行封闭处理，提高半导体的使用寿命，通过设置内盒上的静电球和内盒上的半导体接触，当半导体产生静电时，静电球利用导电柱可以将静电导出，从而实现了对半导体防静电保护的目的，通过设置内盒内壁的防静电涂层可以对半导体和内盒有效的抑制静电的产生，通过设置外壳内壁的绝缘胶垫可以进一步提高半导体的防静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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