[实用新型]一种防静电的半导体结构有效

专利信息
申请号: 202022858184.9 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN213424988U 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 陈金松 申请(专利权)人: 深圳市拓锋半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/02;H01L23/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 静电 半导体 结构
【权利要求书】:

1.一种防静电的半导体结构,包括外壳(1),其特征在于,所述外壳(1)内壁设置有内盒(6),所述内盒(6)内壁设置有半导体(5),所述外壳(1)底部设置有多个针脚(4),所述针脚(4)和半导体(5)固定连接,所述内盒(6)设置为圆柱状,所述半导体(5)两端和底部设置有多个静电球(3),所述静电球(3)和内盒(6)固定连接,所述静电球(3)远离半导体(5)一端固定连接有导电柱(2),所述导电柱(2)穿过外壳(1)。

2.根据权利要求1所述的一种防静电的半导体结构,其特征在于,所述外壳(1)内壁固定连接有绝缘胶垫(8)。

3.根据权利要求1所述的一种防静电的半导体结构,其特征在于,所述内盒(6)外壁固定连接有多个绝缘胶板(7),绝缘胶板(7)切面设置为三角形。

4.根据权利要求1或2所述的一种防静电的半导体结构,其特征在于,所述外壳(1)顶部设置有盖板(13),盖板(13)两端外壁开设有凹槽(14),凹槽(14)内壁设置有凸型胶块(15),凸型胶块(15)和外壳内壁固定连接,盖板(13)顶部固定连接有固定块(12)。

5.根据权利要求4所述的一种防静电的半导体结构,其特征在于,所述盖板(13)底部固定连接有多个弹簧(10),半导体(5)顶部设置有压板(11),压板(11)顶部和弹簧(10)固定连接。

6.根据权利要求1所述的一种防静电的半导体结构,其特征在于,所述内盒(6)内壁和压板(11)底部外壁均固定连接有防静电涂层(9)。

7.根据权利要求1所述的一种防静电的半导体结构,其特征在于,所述外壳(1)两端外壁固定连接有多个金属杆(17),导电柱(2)插入金属杆(17)内,金属杆(17)远离外壳一端外壁固定连接有绝缘胶条(16)。

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