[实用新型]等离子刻蚀装置有效
| 申请号： | 202022828311.0 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN214099574U | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 谢飞;姚森;赵亮亮;张文杰;邵克坚;王猛;朱宏斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种等离子刻蚀装置，包括：刻蚀腔，刻蚀腔内设置有静电吸盘和与静电吸盘相对设置的上电极，静电吸盘用于支撑并夹持待刻蚀的晶圆，所述上电极用于通入刻蚀气体并解离通入的刻蚀气体形成等离子体；所述刻蚀腔的腔室壁中设置有加热模块，加热模块用于在采用等离子刻蚀所述待刻蚀晶圆时，对所述刻蚀腔的腔室壁进行加热，以使得刻蚀过程中产生的聚合副产物更多的形成在所述待刻蚀晶圆上已形成的刻蚀孔的底部。通过在刻蚀腔的腔室壁中中设置加热模块，在进行等离子体刻蚀时，通过加热模块对刻蚀腔的腔室壁中进行高温加热，使得刻蚀腔的腔室壁表面粘附的聚合副产物会脱落到已形成的刻蚀孔的底部，以保护已形成的刻蚀孔底部的材料，防止过刻蚀的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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