[实用新型]等离子刻蚀装置

权利要求书

1.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括：

刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有静电吸盘和与静电吸盘相对设置的上电极，所述静电吸盘用于支撑并夹持待刻蚀的晶圆，所述上电极用于通入刻蚀气体并解离通入的刻蚀气体形成等离子体；

所述刻蚀腔的腔室壁中设置有加热模块，所述加热模块用于在采用等离子刻蚀所述待刻蚀晶圆时，对所述刻蚀腔的腔室壁进行加热，以使得刻蚀过程中产生的聚合副产物更多的形成在所述待刻蚀晶圆上已形成的刻蚀孔的底部。

2.如权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述加热模块的加热所述上电极的温度为180摄氏度-350摄氏度。

3.如权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述加热模块包括电热丝。

4.如权利要求3所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述加热模块还包括传感单元、控制单元和冷却单元，所述传感单元用于检测所述刻蚀腔的腔室壁的实时温度，所述控制单元用于判断所述实时温度与设定温度的大小，当实时温度小于设定温度时，控制所述电热丝继续进行升温加热，直至实时温度达到设定温度，若所述实时温度大于设定温度时，则控制所述冷却单元对所述刻蚀腔的腔室壁进行冷却，直至实时温度降至设定温度。

5.如权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述上电极上具有供刻蚀气体通过的通道。

6.如权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀腔中还具有下电极，所述静电吸盘位于所述下电极上。

7.如权利要求6所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述上电极或者下电极上施加有射频功率。

8.如权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，还包括与刻蚀腔连接的真空泵。

9.如权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述待刻蚀晶圆上形成有NAND存储器，所述NAND存储器包括位于晶圆上的控制栅和隔离层依次层叠的堆叠结构，所述堆叠结构的至少一端具有若干台阶，覆盖所述堆叠结构和若干台阶的介质层。

10.如权利要求9所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀孔为介质层中形成的深度不同的若干接触通孔，所述深度不同的若干接触通孔暴露出相应的台阶表面，所述加热模块在采用等离子刻蚀所述介质层形成深度不同的若干接触通孔时，对所述刻蚀腔的腔室壁进行加热，以使得刻蚀过程中产生的聚合副产物更多形成在已刻蚀形成的接触通孔底部，以保护相应接触通孔底部暴露的控制栅不会被刻蚀。