[实用新型]一种碳化硅单晶生长用坩埚与装置有效
| 申请号： | 202022781982.6 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN214300468U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 方帅;高宇晗;高超;石志强;杨世兴;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B31/14 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王振南 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚与装置。所述坩埚包括侧壁、底部和由所述侧壁和底部围成的内腔，所述内腔用于物理气相传输法生长碳化硅单晶，所述侧壁的至少部分设为透气性石墨材料，所述透气性石墨材料用于向所述碳化硅单晶处渗透氮气。本申请坩埚及装置在调节或提高大尺寸N型碳化硅单晶掺氮量的分布均匀性、电阻率的分布均匀性以及调节或提高碳化硅单晶品质等方面具有重要应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
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