[实用新型]一种碳化硅单晶生长用坩埚与装置

权利要求书

1.一种碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚包括侧壁、底部和由所述侧壁和底部围成的内腔，所述侧壁中设环绕所述坩埚内腔的通道；

所述内腔用于物理气相传输法生长碳化硅单晶，所述侧壁的至少部分设为透气性石墨材料，所述透气性石墨材料用于向所述碳化硅单晶处渗透氮气。

2.如权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述内腔用于物理气相传输法生长碳化硅单晶，

所述通道靠近所述内腔一侧的所述侧壁材质为第一石墨材料，所述第一石墨材料为所述透气性石墨材料，所述通道远离所述内腔一侧的所述侧壁材质为第二石墨材料，

所述第一石墨材料的气体渗透能力高于所述第二石墨材料。

3.如权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述第一石墨材料的密度小于所述第二石墨材料的密度，和/或，所述第一石墨材料的厚度小于所述第二石墨材料的厚度。

4.如权利要求3所述的坩埚，其特征在于，所述第一石墨材料的密度小于所述第二石墨材料的密度0.05-1.0g/cm³，

和/或，所述第一石墨材料的厚度小于所述第二石墨材料的厚度0.05-50mm。

5.如权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述内腔包括放置原料的第一部分和生长碳化硅单晶的第二部分，所述通道位于所述第一部分所在的所述内腔外和/或所述第二部分所在的所述内腔外。

6.如权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述通道环绕所述坩埚内腔的形状为螺旋形、筒形、环形、或链条状。

7.如权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述通道包括进气口和出气口，所述进气口与所述出气口通过所述通道相连通，所述进气口和所述出气口位于所述坩埚的下部。

8.如权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚包括内桶和外桶，所述内桶设于所述外桶内，所述内桶外侧壁和/或所述外桶内侧壁设凹陷，所述内桶置于所述外桶内时，所述凹陷形成所述通道。

9.如权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述内腔的直径为100-200mm；和/或，所述通道为螺旋形，所述通道的直径为0.5-1.5cm，螺距为0.3-3cm。

10.一种碳化硅单晶生长用装置，其特征在于，所述装置包括：权利要求1-9中任一所述的坩埚、设于所述坩埚外周的保温结构、设于所述保温结构外的真空隔离罩、设于所述保温结构顶部的散热孔、和/或设于所述真空隔离罩外的加热线圈。