[实用新型]一种高压功率半导体芯片的封装结构有效
| 申请号： | 202022539999.0 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN213042912U | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 韩荣刚;石浩;张西子 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/492;H01L21/54;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种高压功率半导体芯片的封装结构，包括基板；位于部分集电极导电层上且与集电极导电层电学连接的高压功率半导体芯片，高压功率半导体芯片的发射极与发射极导电层电学连接；集电极引出端子，位于集电极导电层上且与集电极导电层电学连接；发射极引出端子，位于发射极导电层上且与发射极导电层电学连接；集电极引出端子包括第一段区，发射极引出端子包括与第一段区相对设置的第二段区，第一段区朝向发射极引出端子凹进，和/或，第二段区朝向集电极引出端子凹进；第一绝缘填充层，第一段区与第二段区之间，该封装结构具有较小的寄生电感，因此适用于高压功率半导体芯片封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202022539999.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阀门气密性检测装置
- 下一篇：一种高可靠性的测试电缆组件
