[实用新型]一种适用于缺角硅片再利用的MWT电池片及电池组件有效
| 申请号: | 202022515426.4 | 申请日: | 2020-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN213483759U | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
| 发明(设计)人: | 刘晓瑞;职森森;徐建华;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 无锡日托光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 李玉平 |
| 地址: | 214028 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开一种适用于缺角硅片再利用的MWT电池片及电池组件,利用缺角或较大崩边的准方形硅片印刷六边形正面栅线图形,重新按照六角形设计电极孔位置,划片机将准方形电池片沿六角形栅线边缘切为六角形电池片,拼接形成蜂巢组件。本实用新型既可利用缺角等不良准方形硅片制备电池片,提高硅片利用率,新的电极孔及栅线图案设计又可缩短细栅线与电极孔距离,减少栅线上电流传输损耗,实现蜂巢外观的新型组件设计。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 适用于 硅片 再利用 mwt 电池 组件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





