[实用新型]一种适用于缺角硅片再利用的MWT电池片及电池组件有效
| 申请号: | 202022515426.4 | 申请日: | 2020-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN213483759U | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
| 发明(设计)人: | 刘晓瑞;职森森;徐建华;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 无锡日托光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 李玉平 |
| 地址: | 214028 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 适用于 硅片 再利用 mwt 电池 组件 | ||
本实用新型公开一种适用于缺角硅片再利用的MWT电池片及电池组件,利用缺角或较大崩边的准方形硅片印刷六边形正面栅线图形,重新按照六角形设计电极孔位置,划片机将准方形电池片沿六角形栅线边缘切为六角形电池片,拼接形成蜂巢组件。本实用新型既可利用缺角等不良准方形硅片制备电池片,提高硅片利用率,新的电极孔及栅线图案设计又可缩短细栅线与电极孔距离,减少栅线上电流传输损耗,实现蜂巢外观的新型组件设计。
技术领域
本实用新型涉及一种适用于缺角硅片再利用的MWT电池片及电池组件,属于晶体硅太阳能电池制造领域。
背景技术
目前光伏行业通过各种方法降低生产成本。降低硅片厚度是减少硅材料消耗、降低晶体硅太阳电池成本的有效技术措施,是光伏技术进步的重要方面。薄硅片意味着较少的硅材料消耗,从而降低成本。方形硅片经多道工序制备而成,在前道工序中产生的晶棒表面未去除的损伤层,在切片时通常会被继承、放大,产出的硅片表现出碎片即切片损失、缺角、超薄、超厚和TTV等不良现象.严重影响硅片的质量。其中,碎片和缺角占据总不良的80%,故缺角硅片的合理利用是亟待解决的问题,也是从源头降本的重要途径。
现有技术中,硅片行业缺角硅片占据不良硅片较大比例,对于常规方形硅片缺角或较大崩边是严重缺陷,因常规方形的MWT电池栅线设计不适用缺角或较大崩边的硅片。而且现有方形MWT的电极孔位置设计中栅线传输距离较长,增加了电流的传输损耗。
发明内容
实用新型目的:针对现有技术中存在的问题与不足,本实用新型提供一种适用于缺角硅片再利用的MWT电池片及电池组件,利用缺角或较大崩边的准方形硅片印刷六边形正面栅线图形,重新按照六角形设计电极孔位置,划片机将准方形电池片沿六角形栅线边缘切为六角形电池片,拼接形成蜂巢组件。本实用新型既可利用缺角等不良准方形硅片制备电池片,提高硅片利用率,新的电极孔及栅线图案设计又可缩短细栅线与电极孔距离,减少栅线上电流传输损耗,实现蜂巢外观的新型组件设计。
技术方案:一种适用于缺角硅片再利用的MWT电池片,包括由缺角或大崩边的准方形单晶硅片印刷和切割制备成的正六边形电池片;所述正六边形电池片上设有多个垂直贯穿电池片的点阵孔洞作为电极孔;所述电极孔关于正六边形电池片的对边中线或对角线对称分布;所述电极孔与电池片正面电极点一一对应;以每个电极点为起点,正六边形电池片上设有六条主栅线,同一个起点的相邻2条主栅线的夹角为60度;所述每条主栅线上分支出多条细栅线,细栅线等间距排布。
所述正六边形电池片上设有28个垂直贯穿电池片的点阵孔洞作为电极孔,对应电池片正面28个圆形电极点,电极点间距为30mm,电极点的直径为0.5mm。
以每个电极点为起点的六条主栅线组成环形阵列六边形图案,每层栅线为直线或曲线,6 条主栅线宽度均匀变化,离电极点越远,主栅线宽度越小,细栅线间距为等间距设计,细栅线间距为1.469mm;所述主栅线和细栅线关于正六边形电池片的对边中线或对角线对称。
所述正六边形电池片边缘处的栅线与正六边形电池片边缘的距离为0.75mm。
一种MWT电池组件,包括多个沿对边中线或者对角中线切开的正六边形电池片,每个正六边形包括两个相同的半切片,沿对边中线切开的半切片称为对边切片,沿对角中线切开的半切片称为对角切片;所述半切片阵列式排布,拼接形成蜂巢形组件;
其中,所述组件的两个相对的边缘部的一列半切片均间隔排布有对角切片,每个边缘部的一列半切片中,两个对角切片之间设有两个对边切片,两个对边切片组成一个正六边形电池片;组件其余部分均为对边切片排布;
半切片通过导电背板进行电路连接成电池串;相邻的电池串之间并列平行布置,各电池串通过汇流条连接至接线盒,制作成蜂巢外形摆片的组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





