[实用新型]一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件有效

专利信息
申请号: 202022270691.0 申请日: 2020-10-13
公开(公告)号: CN212967694U 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 张英鹏;苏海伟;魏峰;单少杰;范炜盛;王帅;赵鹏;范婷;郑彩霞 申请(专利权)人: 上海维安半导体有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/488
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴轶淳
地址: 201323 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件,属于半导体防浪涌器件领域,包括基岛、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一金属焊接区、第二金属焊接区、第一金属电极和第二金属电极;第一半导体芯片和第二半导体芯片分别设置于基岛的两侧;基岛、第一金属电极和第二金属电极分别连接一金属引脚。本实用新型的有益效果在于:与传统的单路浪涌防护器件相比,通过单颗器件同时实现了共模防护和差模防护,无需多颗器件组合,更加小巧方便,具有小型化、生产工艺稳定、高可靠性、生产效率高、美观等优点,满足未来的器件小型化的发展趋势。同时器件的内部结构上打破了传统封装定制化框架模式,适用性更广阔。
搜索关键词: 一种 双芯双 通路 半导体 浪涌 防护 器件
【主权项】:
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