[实用新型]一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件有效
| 申请号： | 202022270691.0 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN212967694U | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张英鹏;苏海伟;魏峰;单少杰;范炜盛;王帅;赵鹏;范婷;郑彩霞 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴轶淳 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双芯双 通路 半导体 浪涌 防护 器件 | ||
1.一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件，其特征在于，包括一基岛和一半导体芯片组；
所述半导体芯片组包括：
一第一半导体芯片，所述第一半导体芯片上设有一第一金属焊接区；
一第二半导体芯片，所述第二半导体芯片上设有一第二金属焊接区；
所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片分别设置于所述基岛的两侧；
一第一金属电极，所述第一金属电极通过铜丝键合植球工艺，电镀方式电连接所述第一金属焊接区；
一第二金属电极，所述第二金属电极通过铜丝键合植球工艺，电镀方式电连接所述第二金属焊接区；
所述基岛、所述第一金属电极和所述第二金属电极分别连接一金属引脚。
2.根据权利要求1所述的双芯双通路的半导体浪涌防护器件，其特征在于，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片分别通过焊接工艺设置于所述基岛的两侧。
3.根据权利要求1所述的双芯双通路的半导体浪涌防护器件，其特征在于，所述第一金属电极和第二金属电极不对称的设置于所述基岛的两侧。
4.根据权利要求1所述的双芯双通路的半导体浪涌防护器件，其特征在于，采用填料塑封料对所述基岛、所述半导体芯片组、所述第一金属电极和所述第二金属电极进行塑封。
5.根据权利要求4所述的双芯双通路的半导体浪涌防护器件，其特征在于，所述填料塑封料为环氧树脂塑封料。
6.根据权利要求1所述的双芯双通路的半导体浪涌防护器件，其特征在于，分别对所述基岛、所述第一金属电极和所述第二金属电极进行研磨、电镀、蒸发的方式以形成对应的所述金属引脚。
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