[实用新型]一种多芯片超薄扇出型封装结构有效

专利信息
申请号: 202022259453.X 申请日: 2020-10-12
公开(公告)号: CN212342601U 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 胡正勋;梁新夫;郭洪岩;刘爽;夏剑;张朝云;徐东平 申请(专利权)人: 长电集成电路(绍兴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56;H01L23/367
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 赵华
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种多芯片超薄扇出型封装结构,属于半导体封装技术领域。其再布线金属线路层(3)的上表面设置上层金属焊盘(31)、下表面设置底层金属焊盘(33),芯片(8)通过金属微凸块(73)与再布线金属线路层(3)的上层金属焊盘(31)固连,底填胶(83)填充同一封装体的芯片(8)的底部和芯片间隙,所述塑封料(86)于再布线金属层(3)上方塑封芯片(8),并露出芯片(8)的背面;所述加强散热保护层(63)通过导热粘合层(61)设置在芯片(8)的背面。本实用新型实现了减薄产品厚度、提高了产品可靠性并实现了多芯片封装结构。
搜索关键词: 一种 芯片 超薄 扇出型 封装 结构
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