[实用新型]一种多芯片超薄扇出型封装结构

权利要求书

1.一种多芯片超薄扇出型封装结构，其特征在于，其包括若干个芯片（8）、再布线金属线路层（3）、加强散热保护层（63）、底填胶（83）和塑封料（86），所述再布线金属线路层（3）的上表面设置上层金属焊盘（31）、下表面设置底层金属焊盘（33），所述芯片（8）的芯片焊盘（75）带有金属微凸块（73），所述芯片（8）通过金属微凸块（73）、焊锡料（71）与再布线金属线路层（3）的上层金属焊盘（31）固连，

所述底填胶（83）填充芯片（8）的底部和芯片间隙，所述塑封料（86）于再布线金属线路层（3）上方塑封芯片（8），并露出芯片（8）的背面；

所述加强散热保护层（63）通过导热粘合层（61）设置在芯片（8）的背面，所述加强散热保护层（63）为硅片、玻璃片或金属片中的一种或几种组合；

所述再布线金属线路层（3）的底层金属焊盘（33）设置金属连接件（91）。

2.如权利要求1所述的多芯片超薄扇出型封装结构，其特征在于，所述金属微凸块（73）的顶端还包括镍层和金层，所述金层覆盖镍层之上。

3.如权利要求1所述的多芯片超薄扇出型封装结构，其特征在于，所述再布线金属线路层（3）的上层金属焊盘（31）的顶端还包括铜层和镍层，所述镍层覆盖铜层之上。

4.如权利要求1所述的多芯片超薄扇出型封装结构，其特征在于，所述金属连接件（91）为铜柱、金属扩散层或锡球。

5.如权利要求1所述的多芯片超薄扇出型封装结构，其特征在于，所述金属片为金属硒散热片或金属薄铜片。