[实用新型]一种肖特基二极管倒晶结构有效
| 申请号： | 202022238003.2 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN212848417U | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张国俊 | 申请（专利权）人： | 无锡国电资通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 刘咏华 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种肖特基二极管倒晶结构，包括基板，所述基板的上表面贴合固定设置连接有衬底，所述衬底的上表面贴合固定连接有外延层，所述外延层的上表面贴合固定连接有顶板，所述顶板与外延层之间设置有多个P型单晶硅填充，所述基板、衬底、外延层和顶板的整体外侧包置有封装，所述衬底和外延层的整体外侧包置有陶瓷，且陶瓷贯穿至封装的外侧。本实用新型中，由外延层和衬底组成的PN结外侧包覆有陶瓷，陶瓷直接裸漏在封装的外侧，增加PN结整体散热能力，解决其自身反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大出现的热失控问题，肖特基结通过设置P型单晶硅形成有多个，可以降低整体的开启电压，并继而提高其反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
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