[实用新型]一种肖特基二极管倒晶结构

权利要求书

1.一种肖特基二极管倒晶结构，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的上表面贴合固定设置连接有衬底(2)，所述衬底(2)的上表面贴合固定连接有外延层(3)，所述外延层(3)的上表面贴合固定连接有顶板(4)，所述顶板(4)与外延层(3)之间设置有多个P型单晶硅(5)填充，所述基板(1)、衬底(2)、外延层(3)和顶板(4)的整体外侧包置有封装(7)，所述衬底(2)和外延层(3)的整体外侧包置有陶瓷(8)，且陶瓷(8)贯穿至封装(7)的外侧。

2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管倒晶结构，其特征在于：所述基板(1)和顶板(4)为金属板结构，所述基板(1)的上表面与衬底(2)的下表面充分贴合，所述顶板(4)的下表面中部位置与外延层(3)的上表面贴合，所述顶板(4)的下表面两侧与外延层(3)的上表面之间夹置有钝化片(6)。

3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管倒晶结构，其特征在于：所述外延层(3)的上表面固定设置有填充槽(10)，所述填充槽(10)在外延层(3)的上表面等距设置有多个，所述P型单晶硅(5)对应填充在填充槽(10)的内部，且P型单晶硅(5)的上表面所在面设置与外延层(3)的上表面所在面相同。

4.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管倒晶结构，其特征在于：所述外延层(3)的两侧表面下部位置固定设置有嵌槽(9)，所述陶瓷(8)的内侧对应嵌槽(9)设置有插板，且陶瓷(8)对应通过插板插置在嵌槽(9)的内部。

5.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管倒晶结构，其特征在于：所述衬底(2)的两侧表面下部位置固定设置有另一个嵌槽(9)，所述陶瓷(8)的内侧对应衬底(2)两侧的嵌槽(9)设置有插板，且陶瓷(8)对应通过插板插置在衬底(2)两侧嵌槽(9)的内部。

6.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管倒晶结构，其特征在于：所述陶瓷(8)的内表面与衬底(2)和外延层(3)整体外表面相互贴合，且陶瓷(8)的外表面所在面设置与封装(7)的外表面所在面相同。