[实用新型]一种氮化镓器件的封装结构有效
| 申请号： | 202022128780.1 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN213519942U | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;戴维;孙春明;郑超;欧新华;袁琼 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/778;H01L29/78;H01L23/488;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体功率器件的封装技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件的封装结构，包括一基板、一氮化镓芯片以及一硅芯片；还包括；背板，设置于基板上，背板背向基板的一面设有两个沟槽，分别用于放置氮化镓芯片和硅芯片，两个沟槽部分交叉，以使硅芯片与氮化镓芯片部分接触。本实用新型的技术方案具有如下优点或有益效果：提供一种氮化镓器件的封装结构，通过在一块背板上设置两个沟槽即可实现对氮化镓器件的封装，降低封装成本及风险；同时，沟槽结构使得背板与芯片的背部结合更紧密，增强了对芯片的散热能力；此外，本实用新型的氮化镓芯片和硅芯片之间无需通过打线连接，避免了打线引入的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
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