[实用新型]一种氮化镓器件的封装结构

权利要求书

1.一种氮化镓器件的封装结构，包括一基板、一氮化镓芯片以及一硅芯片；其特征在于，还包括：

一背板，设置于所述基板上，所述背板背向所述基板的一面设有两个沟槽，分别用于放置所述氮化镓芯片和所述硅芯片，两个所述沟槽部分交叉，以使所述硅芯片与所述氮化镓芯片部分接触。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，两个所述沟槽包括一第一沟槽和一第二沟槽，所述第一沟槽用于放置所述硅芯片，所述第二沟槽用于放置所述氮化镓芯片；

所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽的深度，以使所述硅芯片的背面与所述氮化镓芯片的正面接触。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述硅芯片背面的漏极与所述氮化镓芯片正面的源极之间通过导电银胶相连。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括一第一卡位边框，设置于所述第一沟槽上，并与所述第一沟槽的形状及尺寸适配，用于限制所述硅芯片的放置位置。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括一第二卡位边框，设置于所述第二沟槽上，并与所述第二沟槽的形状及尺寸适配，用于限制所述氮化镓芯片的放置位置。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述背板的材质为铜。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述硅芯片为NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述氮化镓芯片的源极连接，所述NMOS管的源极与所述氮化镓芯片的栅极连接。