[实用新型]一种II类超晶格长波红外探测器

摘要

本实用新型涉及红外探测器技术领域，提供了一种II类超晶格长波红外探测器，包括衬底，还包括于所述衬底上依次生长的P型接触层、吸收层、空穴势垒层以及N型接触层，所述P型接触层未生长所述吸收层的部位上制作有下电极，所述N型接触层上制作有上电极；所述空穴势垒层为InAsSb空穴势垒层。本实用新型与传统的InAs/GaSb超晶格PIN长波结构相比，引入了宽禁带的InAsSb空穴势垒层，通过掺杂调制，可使PN结耗尽区尽可能分布在InAsSb势垒层，从而有效抑制产生‑复合电流，提高器件的电学性能；InAsSb结构的空穴势垒层和N型接触层不含Al元素，可以规避含Al结构在材料生长过程中吸杂和器件加工过程中稳定性差的问题。