[实用新型]一种II类超晶格长波红外探测器

权利要求书

1.一种II类超晶格长波红外探测器，包括衬底，其特征在于：还包括于所述衬底上依次生长的P型接触层、吸收层、空穴势垒层以及N型接触层，所述P型接触层未生长所述吸收层的部位上制作有下电极，所述N型接触层上制作有上电极；所述空穴势垒层为InAsSb空穴势垒层。

2.如权利要求1所述的一种II类超晶格长波红外探测器，其特征在于：所述P型接触层为InAs/GaSb超晶格P型接触层。

3.如权利要求2所述的一种II类超晶格长波红外探测器，其特征在于：所述InAs/GaSb超晶格P型接触层包括50～80周期的InAs/GaSb超晶格，且每个周期的所述InAs/GaSb超晶格包括2～3nm的InAs层和2～3nm的GaSb层。

4.如权利要求1所述的一种II类超晶格长波红外探测器，其特征在于：所述吸收层为InAs/GaSb超晶格吸收层。

5.如权利要求4所述的一种II类超晶格长波红外探测器，其特征在于：所述InAs/GaSb超晶格吸收层包括200～400周期的InAs/GaSb超晶格，且每个周期的所述InAs/GaSb超晶格包括4～5nm的InAs层和2～3nm的GaSb层。

6.如权利要求1所述的一种II类超晶格长波红外探测器，其特征在于：所述N型接触层为InAs/GaSb超晶格N型接触层。

7.如权利要求6所述的一种II类超晶格长波红外探测器，其特征在于：所述InAs/GaSb超晶格N型接触层包括30～80周期的InAs/GaSb超晶格，且每个周期的所述InAs/GaSb超晶格包括3～4nm的InAs层和2～3nm的GaSb层。

8.如权利要求1所述的一种II类超晶格长波红外探测器，其特征在于：所述衬底为GaSb衬底。