[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202021912435.0 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN212570982U | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构包括Si衬底、绝缘层及Cu柱，其中，Cu柱位于Si衬底中，绝缘层包覆Cu柱的侧壁及底部并与Si衬底相接触，且Cu柱与绝缘层具有第一高度差D1，Si衬底与绝缘层具有第二高度差D2，且第二高度差D2大于第一高度差D1；由于Cu柱与绝缘层具有第一高度差D1，可有效避免对器件的电性能造成影响；进一步的，由于Si衬底与绝缘层具有第二高度差D2，且第二高度差D2大于第一高度差D1，从而可进一步的避免绝缘层内外侧Cu金属的连接，以有效避免对器件的电性能造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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