[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202021912435.0 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN212570982U | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：Si衬底、绝缘层及Cu柱，其中，所述Cu柱位于所述Si衬底中，所述绝缘层包覆所述Cu柱的侧壁及底部并与所述Si衬底相接触，且所述Cu柱与所述绝缘层具有第一高度差，所述Si衬底与所述绝缘层具有第二高度差，且所述第二高度差大于所述第一高度差。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述第一高度差的范围为0.1μm～0.5μm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述第二高度差的范围为2μm～5μm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述绝缘层与所述Cu柱之间还包括金属种子层，且所述金属种子层与所述Cu柱具有相同高度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述绝缘层包括SiO2层及Si3N4层中的一种或组合。
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