[实用新型]增强型GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 202021728202.5 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN212257405U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;左朋;王世卓荦;杨浩军;王晓晖;丁国建;张宇超;冯琦;王海玲;贾海强;陈弘 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐菲 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种增强型GaN HEMT器件，属于半导体器件技术领域。增强型GaN HEMT器件的衬底表面设置有目标掩膜；GaN沟道层设置于目标掩膜表面和衬底未设置目标掩膜的表面，且表面具有与目标掩膜位置对应的凹槽。器件在制备中能避免刻蚀势垒层对器件造成损伤，能够提高器件的可靠性；且工艺可控性好，便于规模化制备。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
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