[实用新型]增强型GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 202021728202.5 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN212257405U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;左朋;王世卓荦;杨浩军;王晓晖;丁国建;张宇超;冯琦;王海玲;贾海强;陈弘 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐菲 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 gan hemt 器件 | ||
1.一种增强型GaN HEMT器件，其特征在于，包括：
衬底；
目标掩膜，所述目标掩膜设置于所述衬底的部分表面；以及
GaN沟道层，所述GaN沟道层设置于所述目标掩膜表面和所述衬底未设置所述目标掩膜的表面，所述GaN沟道层的表面具有与所述目标掩膜位置对应的凹槽。
2.根据权利要求1所述的增强型GaN HEMT器件，其特征在于，所述目标掩膜的材质为SiO2或者SiNx；和/或，所述目标掩膜的厚度为5～500nm。
3.根据权利要求1或2所述的增强型GaN HEMT器件，所述GaN沟道层的表面包括位于所述凹槽外的第一表面和位于所述凹槽内的第二表面，其特征在于，还包括：
AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层设置于所述第一表面；
钝化层，所述钝化层包括设置于所述AlGaN势垒层表面的第一钝化区和设置于所述第二表面的第二钝化区；
源极，所述源极穿过所述第一钝化区与所述AlGaN势垒层欧姆接触；
漏极，所述漏极穿过所述第一钝化区与所述AlGaN势垒层欧姆接触；以及
栅极，所述栅极设置于所述第二钝化区。
4.根据权利要求1或2所述的增强型GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN沟道层的厚度为500～3000nm。
5.根据权利要求3所述的增强型GaN HEMT器件，其特征在于，所述AlGaN势垒层的厚度为10～50nm。
6.根据权利要求3所述的增强型GaN HEMT器件，其特征在于，所述钝化层的材质为SiO2或者SiNx；和/或，所述钝化层的厚度为10～300nm。
7.根据权利要求1或2所述的增强型GaN HEMT器件，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层的材质为金属氮化物，所述缓冲层设置于所述衬底表面，所述目标掩膜设置于所述缓冲层的部分表面，所述GaN沟道层设置于所述目标掩膜表面和所述缓冲层未设置所述目标掩膜的表面。
8.根据权利要求7所述的增强型GaN HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度为10～3000nm。
9.根据权利要求8所述的增强型GaN HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层为一层或者层叠设置的至少两层。
10.根据权利要求1或2所述的增强型GaN HEMT器件，其特征在于，所述衬底的材质为Al2O3、Si和SiC中的一种。
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