[实用新型]一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构有效
| 申请号： | 202021692299.9 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN212648248U | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 无锡先仁智芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京知鲲知识产权代理事务所(普通合伙) 11866 | 代理人： | 闫聪彦 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电子设备技术领域，具体涉及一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构，旨在解决现有技术中整个栅极下面全是耗尽，导致在正常工作电压工作时，导通电流不够或者说导通电阻较大的技术问题，其技术要点在于包括基材，所述基材表面覆盖有高电阻层及阻挡层，所述阻挡层表面设置有栅极，所述栅极与所述阻挡层之间设置有p‑GaN层。通过栅极两端下面的p‑GaN层导致对应区域沟道载流子耗尽，保证了器件的常关特性，同时栅极中间区域下方并没有设置p‑GaN层，不会导致中间区域的沟道载流子耗尽，这样在正常工作时，可以保证具有足够的导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 电子 迁移率 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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