[实用新型]一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构有效
| 申请号： | 202021692299.9 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN212648248U | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 无锡先仁智芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京知鲲知识产权代理事务所(普通合伙) 11866 | 代理人： | 闫聪彦 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 电子 迁移率 晶体管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型GaN高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：包括基材(1)，所述基材(1)表面覆盖有高电阻层(4)及阻挡层(5)，所述阻挡层(5)表面设置有栅极(7)，所述栅极(7)与所述阻挡层(5)之间设置有p-GaN层(6)。
2.根据权利要求1所述的新型GaN高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述阻挡层(5)指向所述栅极(7)一侧侧面突出设置有凸块(51)，所述凸块(51)与所述栅极(7)的侧边相互贴合设置，所述p-GaN层(6)上设置有容纳所述阻挡层(5)上凸块(51)的凹槽(61)。
3.根据权利要求2所述的新型GaN高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述阻挡层(5)厚度在0.1-0.3微米之间。
4.根据权利要求3所述的新型GaN高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述阻挡层(5)上还设置有源极(8)和漏极(9)，所述源极(8)和漏极(9)均位于所述阻挡层(5)背离所述高电阻层(4)一侧侧面。
5.根据权利要求1所述的新型GaN高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述基材(1)与所述高电阻层(4)之间设置有缓冲层(3)。
6.根据权利要求5所述的新型GaN高电子迁移率晶体管结构，其特征在于：所述缓冲层(3)与基材(1)之间还设置有成核层(2)，所述成核层(2)用于减少晶格失配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡先仁智芯微电子技术有限公司，未经无锡先仁智芯微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021692299.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
