[实用新型]一种低插损的非可逆电路元件有效
| 申请号： | 202021665997.X | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN213126723U | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张娟娟;孙晓丹 | 申请（专利权）人： | 浙江省东阳市东磁诚基电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K5/02 | 分类号： | H05K5/02;H05K1/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张金刚 |
| 地址： | 322118 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了属于电路元件技术领域的一种低插损的非可逆电路元件，包括壳体，壳体的上方连接有非可逆电路元件本体，非可逆电路元件本体的上方设有上旋磁片，上旋磁片的上方连接有磁铁，磁铁的上方连接有温补片；本实用新型在非可逆电路元件本体4的上方设置了上旋磁片，通过上旋磁片的设置可以降低0.2dB的插损，从而使本结构的插损值更小，从而提高了本结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低插损 可逆 电路 元件 | ||
【主权项】：
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