[实用新型]一种低插损的非可逆电路元件

说明书

本实用新型公开了属于电路元件技术领域的一种低插损的非可逆电路元件，包括壳体，壳体的上方连接有非可逆电路元件本体，非可逆电路元件本体的上方设有上旋磁片，上旋磁片的上方连接有磁铁，磁铁的上方连接有温补片；本实用新型在非可逆电路元件本体4的上方设置了上旋磁片，通过上旋磁片的设置可以降低0.2dB的插损，从而使本结构的插损值更小，从而提高了本结构的性能。

技术领域

本实用新型属于电路元件技术领域，具体涉及一种低插损的非可逆电路元件。

背景技术

随着5G移动通信技术的崛起，市场对高频设备的需求越来越多，对产品性能的要求也越来越高，现有技术的非可逆电路元件已满足不了日益增长的需求，存在温度波动大，产品稳定性低的问题。

中国专利申请号为2020201041048公开了一种非可逆电路元件，包括壳体，壳体的上方连接有非可逆电路元件本体，非可逆电路元件本体的上方连接有磁铁，磁铁的上方连接有温补片。本实用新型在磁铁与上盖之间增加了温补片，弥补了现有的旋磁片温度性能波动大，从而导致产品温度波动大的问题，稳定了产品的温度性能，从而提高了产品的稳定性。

上述专利虽然解决了产品温度波动大，产品稳定性低的问题，但是仍然存在插入损耗大的问题，插入损耗是输出信号与输入信号的比值，代表的是信号的损失量。插入损耗越小说明信号在经过隔离器后损失就越小，隔离器对信号产生的影响就越小，因此，亟需一种低插损的非可逆电路元件。

实用新型内容

为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种低插损的非可逆电路元件，具有产品插入损耗低的特点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低插损的非可逆电路元件，包括壳体，壳体的上方连接有非可逆电路元件本体，非可逆电路元件本体的上方设有上旋磁片，上旋磁片的上方连接有磁铁，磁铁的上方连接有温补片。

作为本实用新型的优选技术方案，壳体的上方连接有上盖，且上盖位于温补片的上方。

作为本实用新型的优选技术方案，非可逆电路元件本体包括印刷电路板，印刷电路板的上方连接有旋磁片。

作为本实用新型的优选技术方案，旋磁片的上方和侧边分别设有若干个铜片，铜片与印刷电路板连接。

作为本实用新型的优选技术方案，铜片之间设有绝缘隔膜。

作为本实用新型的优选技术方案，旋磁片的侧边分别设有若干个电容，电容与印刷电路板连接。

作为本实用新型的优选技术方案，壳体的前后两侧分别连接有护板。

作为本实用新型的优选技术方案，上盖的两侧分别开设有与护板相对应的槽口。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型在非可逆电路元件本体4的上方设置了上旋磁片，通过上旋磁片的设置可以降低0.2dB的插损，从而使本结构的插损值更小，从而提高了本结构的性能；

2、本实用新型使用了印刷电路板作为载板，印刷电路板的使用可以使电容、电阻、电感等元器件通过贴片机等自动化设备放置到印刷电路板上，弥补了现有人工组装精度低，耗费时间长，产品一致性差的问题；

3、本实用新型在磁铁与上盖之间增加了温补片，弥补了现有的旋磁片温度性能波动大，从而导致产品温度波动大的问题，稳定了产品的温度性能，从而提高了产品的稳定性。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为本实用新型的结构爆炸示意图；

图2为本实用新型非可逆电路元件本体的结构爆炸示意图；